Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 445-2269
Tillv. art.nr:: BSP295H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

49,62 kr

(exkl. moms)

62,025 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

495 enhet(er) är redo att levereras
Plus 40 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
Dessutom levereras 2 695 enhet(er) från den 29 april 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	9,924 kr	49,62 kr
50 - 120	8,826 kr	44,13 kr
125 - 245	8,244 kr	41,22 kr
250 - 495	7,638 kr	38,19 kr
500 +	7,034 kr	35,17 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 445-2269
Tillv. art.nr:: BSP295H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	300mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	14nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.5mm
	Höjd	1.6mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.5mm
	Höjd 1.6mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1.8A Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP295H6327XTSA1

This MOSFET is engineered for high-performance applications in automation and electronics. Its N-channel configuration combined with an efficient surface mount design allows for effective current control, making it suitable for a range of industrial applications. It supports a maximum drain-source voltage of 60V, ensuring consistent performance for various projects.

Features & Benefits

• Continuously handles a drain current of 1.8A

• Low maximum drain-source resistance of 300mΩ

• Wide gate-source voltage range from -20V to +20V

• Qualified to AEC-Q101 automotive standard for reliability

Applications

• Power management systems for efficient output control

• Motor drives for reliable switching operations

• Signal amplification in various electronic devices

• Automotive electronic control units

What is the typical power dissipation of the component?

It can dissipate up to 1.8W under specified conditions for effective heat management during operation.

How does the gate threshold voltage affect performance?

The maximum gate threshold voltage is 1.8V, which enables the MOSFET to achieve optimal performance at low input levels.

Can this component handle pulsed drain currents?

Yes, it is rated for pulsed drain current up to 6A, allowing it to effectively manage transient conditions.

What packaging options are available?

The MOSFET is available in a SOT-223 surface mount package, optimised for space-efficient designs.

Is the device compliant with environmental standards?

It features Pb-free lead plating and adheres to RoHS compliance, meeting contemporary environmental regulations.