Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-5070
- Tillv. art.nr:
- BSP315PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 2000 till för att spara 2%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
2 230,00 kr
(exkl. moms)
2 790,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 9 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 2,23 kr | 2 230,00 kr | - |
| 2000 - 2000 | 2,173 kr | 2 173,00 kr | 2% |
| 3000 + | 2,119 kr | 2 119,00 kr | 4% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-5070
- Tillv. art.nr:
- BSP315PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.97V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Bredd | 3.5mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.97V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Bredd 3.5mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP315PH6327XTSA1
Denna MOSFET är en P-kanal-transistor med förstärkningsläge som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i fordons- och industriella sammanhang. Den erbjuder måttlig strömhantering och spänningskapacitet för belastningsswitchning och skydd mot omvänd polaritet i kompakta monteringar, och är lämplig för miljöer som kräver utökad temperaturdrift.
Funktioner och fördelar:
• 60 V drain-source-klassning för medelspänningsomkopplingskapacitet
• 1,17 A kontinuerlig dräneringsström för småsignalströmförsörjning
• 800 mΩ maximal RDS(on) för minskade ledningsförluster
• 5,2 nC typisk grindladdning för effektiv grindstyrning
• 1.8 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med låg effekt
• AEC-Q101-kvalificering för belastningstolerans av fordonsklass
• 1,17 A kontinuerlig dräneringsström för småsignalströmförsörjning
• 800 mΩ maximal RDS(on) för minskade ledningsförluster
• 5,2 nC typisk grindladdning för effektiv grindstyrning
• 1.8 W effektförlust möjliggör kontinuerlig drift med låg effekt
• AEC-Q101-kvalificering för belastningstolerans av fordonsklass
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling av batteriladdning i fordon
• Idealisk för skydd mot omvänd polaritet i fordonselektronik
• Används med DC/DC-omvandlare med låg effekt för omkoppling på höga sidan
• Kan användas för lastfrånkoppling i telematikmoduler
• Lämplig för kompakta strömstyrningskort som kräver ytmontering
• Idealisk för skydd mot omvänd polaritet i fordonselektronik
• Används med DC/DC-omvandlare med låg effekt för omkoppling på höga sidan
• Kan användas för lastfrånkoppling i telematikmoduler
• Lämplig för kompakta strömstyrningskort som kräver ytmontering
I vilket temperaturområde kan den fungera?
Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C för att passa miljöer med höga temperaturer.
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Enheten levereras i en SOT-223-kapsel och är avsedd för ytmontering.
Hur många stift finns tillgängliga för kretsanslutningar?
Den har fyra stift för att rymma käll-, avtappnings-, grind- och monterings-/kontaktarrangemang.
Vilken maximal grindspänning bör observeras under användning?
Gate-source-spänningen får inte överstiga 20 V för att undvika enhetsbelastning.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101