Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 167-942
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-976
- Tillv. art.nr:
- BSP171PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
89,38 kr
(exkl. moms)
111,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 20 010 enhet(er) från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,938 kr | 89,38 kr |
| 100 - 240 | 8,467 kr | 84,67 kr |
| 250 - 490 | 8,31 kr | 83,10 kr |
| 500 - 990 | 7,784 kr | 77,84 kr |
| 1000 + | 7,246 kr | 72,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 167-942
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-976
- Tillv. art.nr:
- BSP171PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET i Infineons SIPMOS®-serie, 1,9 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,8 W maximal effektförlust - BSP171PH6327XTSA1
Denna MOSFET är konstruerad för högpresterande switchapplikationer och utnyttjar P-kanalsteknik. Med SIPMOS®-teknik säkerställer den tillförlitlig drift i ett kompakt SOT-223-paket, vilket gör den till ett lämpligt alternativ för fordons- och industriapplikationer. Den kontinuerliga dräneringsströmmen på 1,9 A och en maximal spänning på 60 V ökar effektiviteten när det gäller att effektivt hantera ström vid olika användningsområden.
Funktioner & fördelar
• P-kanalskonfiguration stöder applikationer med låg sidoswitchning
• Enhancement mode operation främjar effektiv prestanda
• Ytmonterad design sparar värdefullt PCB-utrymme
• Klassad för höga temperaturer upp till +150°C, vilket garanterar lång livslängd
• Låg Rds(on) minskar effektförlusten vid växling
Användningsområden
• Lastväxling i fordonselektronik
• Effektstyrningskretsar för energieffektivitet
• Högfrekvent kräver snabb omkoppling
• Drivlaster i elektroniska konsumentprodukter
• Strömförsörjningskretsar som kräver kompakta lösningar
Vilken är den maximala drain-source-spänningen som denna komponent kan hantera?
Komponenten klarar en maximal drain-source-spänning på 60V, vilket gör den lämplig för olika applikationer.
Hur fungerar denna komponent vid förhöjda temperaturer?
Den fungerar effektivt i temperaturer upp till +150°C, vilket ger prestanda i krävande miljöer.
Kan den användas i batteridrivna kretsar?
Ja, dess låga Rds(on) minskar strömförlusten avsevärt, vilket gör den väl lämpad för batteridrivna enheter.
Vad är betydelsen av lavinklassningen?
Avalanche-klassificeringen visar att enheten kan absorbera energitoppar, vilket förbättrar dess hållbarhet och tillförlitlighet under transienter.
Hur kan jag säkerställa korrekt installation på kretskortet?
Det är viktigt att följa dimensionsspecifikationerna för SOT-223-paketet och att genomföra lämplig termisk hantering under installationen.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101