Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 906,00 kr

(exkl. moms)

19 884,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,302 kr15 906,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-2807
Tillv. art.nr:
SISA04DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

40A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

52W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

0.73V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Bredd

3.15 mm

Längd

3.15mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar