Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series
- RS-artikelnummer:
- 735-205
- Tillv. art.nr:
- SIHB240N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 160,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
42,22 kr
(exkl. moms)
52,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 42,22 kr | - |
| 10 - 49 | 26,21 kr | 160,10 kr |
| 50 - 99 | 20,16 kr | 1 103,00 kr |
| 100 + | 17,92 kr | 2 430,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-205
- Tillv. art.nr:
- SIHB240N65E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | E Series | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.24Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 147W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie E Series | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.24Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal effektförlust Pd 147W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 21 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E