Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-artikelnummer:
- 210-4969
- Tillv. art.nr:
- SIHB15N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
873,60 kr
(exkl. moms)
1 092,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,472 kr | 873,60 kr |
| 100 - 200 | 13,978 kr | 698,90 kr |
| 250 + | 12,23 kr | 611,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-4969
- Tillv. art.nr:
- SIHB15N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 304mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Längd | 14.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 304mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.06mm | ||
Längd 14.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source-spänning, 13 A kontinuerlig drain-ström – SIHB15N80AE-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-omkopplare avsedd för ytmonterade strömomvandlings- och styrtillämpningar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är konstruerad för att hantera förhöjda spänningar och termiska belastningar i krävande elektroniska system samtidigt som den uppfyller RoHS-miljökraven.
Funktioner och fördelar:
• 800 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 13 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• 304 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 156 W effektförlust möjliggör långvarig värmehantering
• 35 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar grinddrivarstorlek
• 30 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivspänningar
• 13 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• 304 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 156 W effektförlust möjliggör långvarig värmehantering
• 35 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar grinddrivarstorlek
• 30 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivspänningar
Användningsområden
• Används för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Lämplig för industriella motordrivningsstegen
• Idealisk för switchade primärströmförsörjningsomkopplare
• Kan användas för svetsning eller plasmaströmstyrningsmoduler
• Används med högspänningsväxelriktare i industriell utrustning
• Lämplig för industriella motordrivningsstegen
• Idealisk för switchade primärströmförsörjningsomkopplare
• Kan användas för svetsning eller plasmaströmstyrningsmoduler
• Används med högspänningsväxelriktare i industriell utrustning
Vilken typ av kapsling bör övervägas för värmehantering på kort?
Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering som erbjuder en termisk bana med låg profil till koppar för kretskort för värmeavledning.
Hur fungerar enheten i extrema temperaturer?
Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både kalla startmiljöer och miljöer med höga temperaturer.
Vilka begränsningar för grinddrivning måste konstruktörer observera?
Grinden får inte överstiga ±30 V i förhållande till källan för att undvika skador på grindoxiden och säkerställa tillförlitlig omkoppling.
Vilka framåtriktade ledningsegenskaper finns under ledning av kroppsdioder?
Den inneboende dioden uppvisar en framåtvänd spänning på cirka 1,2 V när den leder under omvända polaritetsförhållanden.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, E
- Vishay N Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E