ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-358
- Tillv. art.nr:
- RD3L08BBJHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 2 enheter)*
38,51 kr
(exkl. moms)
48,138 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 96 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 19,255 kr | 38,51 kr |
| 20 - 48 | 16,965 kr | 33,93 kr |
| 50 - 198 | 15,26 kr | 30,52 kr |
| 200 - 998 | 12,25 kr | 24,50 kr |
| 1000 + | 11,985 kr | 23,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-358
- Tillv. art.nr:
- RD3L08BBJHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08BBJHRB | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 5 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 142W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Längd | 10.50mm | |
| Bredd | 6.8 mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08BBJHRB | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 5 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximal effektförlust Pd 142W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Längd 10.50mm | ||
Bredd 6.8 mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel MOSFET designed for demanding applications requiring robust power management. With a maximum voltage rating of -60V and current capability of ±80A, this device is suitable for automotive and industrial use. Constructed in a TO-252 package, it ensures efficient thermal performance with a power dissipation of up to 142W. The low on-resistance of 10.7mΩ enhances power efficiency, making it an ideal choice for energy-conscious designs. Additionally, it is 100% avalanche tested and AEC-Q101 qualified, ensuring reliability in critical applications.
Optimized for efficiency with low on-state resistance, ensuring reduced power loss
Robust thermal performance allows operation in demanding environments with a maximum junction temperature of 175°C
Suitable for high-current applications with a continuous drain current capability of ±80A
AEC Q101 qualified for automotive applications, ensuring compliance with rigorous quality standards
Embossed tape packaging facilitates automated assembly processes
Fully avalanche rated, guaranteeing reliable operation under transient conditions
Pb free plating and RoHS compliant, meeting environmental standards for modern electronic components
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben RD3N03BAT AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal 3 Ben AG502EED3HRB AEC-Q101