Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB155N60EF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 406,50 kr

(exkl. moms)

1 758,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 20028,13 kr1 406,50 kr
250 +27,568 kr1 378,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-175
Tillv. art.nr:
SIHB155N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.159Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.79mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay 4th generation E Series Power MOSFET featuring a fast body diode for enhanced switching performance. It offers a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal behaviour. Designed for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies, it delivers reliable efficiency in demanding power applications.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

relaterade länkar