Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

208,32 kr

(exkl. moms)

260,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 175 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4541,664 kr208,32 kr
50 - 12037,498 kr187,49 kr
125 - 24533,332 kr166,66 kr
250 - 49530,42 kr152,10 kr
500 +26,208 kr131,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4975
Tillv. art.nr:
SiHB186N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

EF

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

168mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal effektförlust Pd

156W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

14.61mm

Bredd

9.65 mm

Höjd

4.06mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has D2PAK (TO-263) package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)