Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB186N60EF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

208,32 kr

(exkl. moms)

260,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 175 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4541,664 kr208,32 kr
50 - 12037,498 kr187,49 kr
125 - 24533,332 kr166,66 kr
250 - 49530,42 kr152,10 kr
500 +26,208 kr131,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4975
Tillv. art.nr:
SiHB186N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

168mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Height

4.06mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has D2PAK (TO-263) package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar