Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET, 21 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB SIHP21N60EF-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

49,84 kr

(exkl. moms)

62,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 15 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1824,92 kr49,84 kr
20 - 4822,51 kr45,02 kr
50 - 9821,17 kr42,34 kr
100 - 19819,935 kr39,87 kr
200 +19,43 kr38,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-7768
Tillv. art.nr:
SIHP21N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220AB

Series

EF

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.176Ω

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

84nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Single

Width

10.52 mm

Standards/Approvals

No

Length

14.4mm

Height

6.71mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIHP21N60EF is a N-channel EF series power MOSFET with fast body diode having drain to source voltage(Vds) of 600V and gate to source voltage (VGS) 30V. It is having TO-220AB package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.176ohms at 10VGS. Maximum drain current 21A.

Fast body diode MOSFET using E series technology

Reduced trr, Qrr, and IRRM

Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg

relaterade länkar