Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IMLT65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

108,75 kr

(exkl. moms)

135,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 800 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9108,75 kr
10 - 9997,89 kr
100 +90,16 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-949
Tillv. art.nr:
IMLT65R033M2HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

68A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Uteffekt

312W

Serie

IMLT65

Kapseltyp

PG-HDSOP-16

Fästetyp

Yta

Antal ben

16

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

10.3 mm

Höjd

2.35mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Längd

10.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon CoolSiC MOSFET discrete Generation 2 (G2) in TOLT leverages the G2 best-in-class switching performance while enabling all the benefits of top-side cooling. Complementing the Q-DPAK package, it is now possible to implement a total discrete top-side cooling solution, obtaining better thermal performance, system cost reduction and simplification, and a cheaper assembly.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Simplifies assembly and cooling

Liquid cooling ready

Allows designs without fan or heatsink

Lower stray inductances

Better gate control

Relaterade länkar