Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

86,24 kr

(exkl. moms)

107,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 799 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 986,24 kr
10 - 9977,73 kr
100 - 49971,68 kr
500 - 99966,42 kr
1000 +59,58 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-887
Tillv. art.nr:
IGLT65R045D2ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

38A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-HDSOP-16

Serie

IGLT65

Typ av fäste

Yta

Antal ben

16

Maximal drain-källresistans Rds

0.054Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

124W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC for Industrial Applications

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a top-side cooled TOLT package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.

650 V e-mode power transistor

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Low dynamic RDS(on)

High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Top-side cooled package

JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

Relaterade länkar