Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 96 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

59,92 kr

(exkl. moms)

74,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 959,92 kr
10 - 9953,87 kr
100 - 49949,84 kr
500 - 99946,26 kr
1000 +41,44 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-053
Tillv. art.nr:
IMLT65R060M2HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

96A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-HDSOP-16

Serie

CoolSiC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

16

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal effektförlust Pd

200W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, providing unparalleled performance, superior reliability, and excellent ease of use. Designed to meet the demands of modern power systems, this MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs. It is the ideal solution for addressing the ever-growing needs of power systems and markets, offering both high performance and energy efficiency for a wide range of applications.

Ultra low switching losses

Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage

Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme

Robust body diode operation under hard commutation events

The .XT interconnection technology for best in class thermal performance

Relaterade länkar