Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

145,82 kr

(exkl. moms)

182,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
1 - 9145,82 kr
10 - 99131,15 kr
100 +121,07 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-891
Tillv. art.nr:
IGLT65R025D2AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

67A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-HDSOP-16

Serie

IGLT65

Typ av fäste

Yta

Antal ben

16

Maximal drain-källresistans Rds

0.053Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11nC

Maximal effektförlust Pd

219W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

JEDEC for Industrial Applications

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon GaN power transistor allows for increased efficiency at high-frequency operation. As part of the CoolGaN 650 V G5 family, it meets the highest quality standards, enabling highly reliable designs with superior efficiency. Housed in a top-side cooled TOLT package, it is designed for optimal power dissipation in various industrial applications.

650 V e-mode power transistor

Ultrafast switching

No reverse-recovery charge

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Low dynamic RDS(on)

High ESD robustness: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Top-side cooled package

JEDEC qualified (JESD47, JESD22)

Relaterade länkar