Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- RS-artikelnummer:
- 351-885
- Tillv. art.nr:
- IGLT65R110D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
95,20 kr
(exkl. moms)
119,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 47,60 kr | 95,20 kr |
| 20 - 198 | 42,895 kr | 85,79 kr |
| 200 - 998 | 39,535 kr | 79,07 kr |
| 1000 - 1998 | 36,57 kr | 73,14 kr |
| 2000 + | 32,87 kr | 65,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-885
- Tillv. art.nr:
- IGLT65R110D2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IGLT65 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.14Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 55W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for Industrial Applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-HDSOP-16 | ||
Serie IGLT65 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.14Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 55W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for Industrial Applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineons GaN-effekttransistor möjliggör ökad effektivitet vid högfrekvent drift. Som en del av CoolGaN 650 V G5-familjen uppfyller den högsta kvalitetsstandarden, vilket möjliggör mycket tillförlitliga konstruktioner med överlägsen effektivitet. Den är inrymd i en TOLT-kapsling med kylning på ovansidan och är utformad för optimal effektförlust i olika industriella tillämpningar.
650 V e-mode-effekttransistor
Ultrasnabb omkoppling
Ingen omvänd återställningsladdning
Kan användas för omvänd ledning
Låg grindladdning, låg utgångsladdning
Överlägsen motståndskraft vid kommutation
Låg dynamisk RDS(on)
Hög ESD-robusthet: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Förpackning med kylning på ovansidan
JEDEC-kvalificerad (JESD47, JESD22)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IGLT65
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 650 V Förbättring, 16 Ben, PG-HDSOP-16, IMLT65