Infineon Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 10.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-DSO-8, ISA
- RS-artikelnummer:
- 348-906
- Tillv. art.nr:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
138,56 kr
(exkl. moms)
173,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,928 kr | 138,56 kr |
| 200 - 480 | 6,58 kr | 131,60 kr |
| 500 + | 6,099 kr | 121,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-906
- Tillv. art.nr:
- ISA150233C03LMDSXTMA
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | ISA | |
| Kapseltyp | PG-DSO-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5 mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249‐2‐21, JEDEC | |
| Längd | 6.2mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie ISA | ||
Kapseltyp PG-DSO-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5 mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61249‐2‐21, JEDEC | ||
Längd 6.2mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon OptiMOS 3 Power Transistors available in complementary N and P channel configurations, are designed for high efficiency switching applications. These MOSFETs feature very low on resistance (RDS(on)), which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. Additionally, they offer superior thermal resistance, ensuring better heat dissipation and reliability in demanding applications. These characteristics make them ideal for various power management and energy efficient designs.
100% avalanche tested
Pb free lead plating and RoHS compliant
Halogen free according to IEC61249‑2‑21