ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K
- RS-artikelnummer:
- 264-876
- Tillv. art.nr:
- HT8KE6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 längd med 10 enheter)*
91,39 kr
(exkl. moms)
114,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,139 kr | 91,39 kr |
| 100 - 240 | 8,68 kr | 86,80 kr |
| 250 - 490 | 8,042 kr | 80,42 kr |
| 500 - 990 | 7,403 kr | 74,03 kr |
| 1000 + | 7,123 kr | 71,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-876
- Tillv. art.nr:
- HT8KE6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | HT8K | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 57mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 14W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie HT8K | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 57mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 14W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM power MOSFET features a dual N-channel configuration with a voltage rating of 100V and a current capacity of 13A. Designed in an HSOP8 package and offers low on-resistance.
Low on-resistance
Small Surface Mount Package (HSOP8)
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal 7 A 100 V Förbättring HSMT-8, HT8K
- ROHM Typ N Kanal 8 Ben RQ3
- ROHM Dubbel N Kanal 8 Ben HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal 8 Ben HT8MD5HT
- ROHM Typ N Kanal 39 A 100 V Förbättring HSMT
- ROHM Typ N Kanal 20 A 60 V Förbättring HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal 25 A 150 V Förbättring HSMT, RH6R025BH
- ROHM Typ N Kanal 135 A 40 V Förbättring HSMT-8, RH6G04
