ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

91,39 kr

(exkl. moms)

114,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 909,139 kr91,39 kr
100 - 2408,68 kr86,80 kr
250 - 4908,042 kr80,42 kr
500 - 9907,403 kr74,03 kr
1000 +7,123 kr71,23 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-876
Tillv. art.nr:
HT8KE6TB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HSMT-8

Serie

HT8K

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

57mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.7nC

Maximal effektförlust Pd

14W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The ROHM power MOSFET features a dual N-channel configuration with a voltage rating of 100V and a current capacity of 13A. Designed in an HSOP8 package and offers low on-resistance.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package (HSOP8)

Pb-free lead plating and RoHS compliant

Halogen Free

Relaterade länkar