ROHM N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
266-3858
Tillv. art.nr:
RH6R025BHTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

RH6R025BH

Kapseltyp

HSMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.7nC

Maximal effektförlust Pd

59W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHMs effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och hög effekt, litet formpaket, lämpligt för omkoppling.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.