ROHM N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 50 till för att spara 14%

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

59,47 kr

(exkl. moms)

74,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
Besparing
5 - 4511,894 kr59,47 kr-
50 - 9510,17 kr50,85 kr14%
100 - 2458,892 kr44,46 kr25%
250 - 9958,624 kr43,12 kr27%
1000 +7,818 kr39,09 kr34%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-2775
Tillv. art.nr:
RQ3P300BHTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

39A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

HSMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

15.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.15mm

Bredd

850μm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

3.4mm

Fordonsstandard

Nej

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.