STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

9 118,83 kr

(exkl. moms)

11 398,53 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +303,961 kr9 118,83 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-071
Tillv. art.nr:
SCT025W120G3AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

56A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Maximal effektförlust Pd

388W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5mm

Bredd

15.6 mm

Längd

34.8mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar