IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50P

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

396,72 kr

(exkl. moms)

495,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4396,72 kr
5 +325,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-029
Distrelec artikelnummer:
302-53-378
Tillv. art.nr:
IXFN80N50P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.2mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253378

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar