IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

377,55 kr

(exkl. moms)

471,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 222 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1377,55 kr
2 - 4370,05 kr
5 +358,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
804-7603
Distrelec artikelnummer:
302-53-380
Tillv. art.nr:
IXFN80N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253380

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar