IXYS Type N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- RS-artikelnummer:
- 920-0789
- Tillv. art.nr:
- IXFN64N50P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 10 enheter)*
2 763,94 kr
(exkl. moms)
3 454,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 05 januari 2026
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 12 januari 2026
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 07 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per Rør* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 276,394 kr | 2 763,94 kr |
| 20 - 30 | 262,573 kr | 2 625,73 kr |
| 40 - 90 | 254,285 kr | 2 542,85 kr |
| 100 - 190 | 240,464 kr | 2 404,64 kr |
| 200 + | 234,382 kr | 2 343,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-0789
- Tillv. art.nr:
- IXFN64N50P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 61A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 85mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 700W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 25.42 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 38.23mm | |
| Height | 9.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 61A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 85mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 700W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 25.42 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 38.23mm | ||
Height 9.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
relaterade länkar
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN64N50P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50Q3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN100N50Q3
