IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 10 enheter)*

3 091,31 kr

(exkl. moms)

3 864,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 220 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 - 10309,131 kr3 091,31 kr
20 - 40296,766 kr2 967,66 kr
50 +287,493 kr2 874,93 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4759
Tillv. art.nr:
IXFN80N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar