IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class

Antal (1 enhet)*

415,74 kr

(exkl. moms)

519,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +415,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
804-7565
Distrelec artikelnummer:
302-53-357
Tillv. art.nr:
IXFN100N50Q3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

82A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Kapseltyp

SOT-227

Fästetyp

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

49mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

960W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

255nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

25.07 mm

Längd

38.23mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3-serien


IXYS Q3-klass av HiperFET™ Power MOSFETs är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer, och erbjuder låg gate-laddning med exceptionell robusthet. Enheterna har en snabb egendiod och finns tillgängliga i en mängd olika industristandardiserade paket, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 1100 V och 70 A. Typiska applikationer är DC-DC-omvandlare, batteriladdare, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, temperatur- och belysningsstyrning.

Snabb inbyggd likriktardiod

Låg RDS(on) och QG (grindladdning)

Låg inneboende grindresistans

Industriella standardpaket

Låg induktans i paketet

Hög effekttäthet

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar