IXYS Type N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

369,82 kr

(exkl. moms)

462,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 46 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1369,82 kr
2 - 4362,43 kr
5 +351,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
193-739
Distrelec artikelnummer:
302-53-363
Tillv. art.nr:
IXFN140N30P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

185nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Length

38.2mm

Distrelec Product Id

30253363

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar