IXYS Type N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN210N30P3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

3 990,81 kr

(exkl. moms)

4 988,51 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +399,081 kr3 990,81 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
177-5342
Tillv. art.nr:
IXFN210N30P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

192A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

268nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.5kW

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar