IXYS Type N-Channel MOSFET, 86 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN102N30P

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

311,81 kr

(exkl. moms)

389,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1311,81 kr
2 - 4296,24 kr
5 +280,67 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
193-464
Distrelec artikelnummer:
302-53-358
Tillv. art.nr:
IXFN102N30P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

224nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.42 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253358

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar