IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 10 enheter)*

2 728,99 kr

(exkl. moms)

3 411,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rör*
10 - 10272,899 kr2 728,99 kr
20 - 40259,258 kr2 592,58 kr
50 +245,605 kr2 456,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4467
Tillv. art.nr:
IXFN102N30P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

86A

Maximal källspänning för dränering Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar

Kapseltyp

SOT-227

Fästetyp

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

570W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

224nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

38.23mm

Bredd

25.42 mm

Höjd

9.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS