IXYS Type N-Channel MOSFET, 86 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 10 enheter)*

2 728,99 kr

(exkl. moms)

3 411,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 - 10272,899 kr2 728,99 kr
20 - 40259,258 kr2 592,58 kr
50 +245,605 kr2 456,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4467
Tillv. art.nr:
IXFN102N30P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

224nC

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar