IXYS Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

3 049,98 kr

(exkl. moms)

3 812,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +304,998 kr3 049,98 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-0735
Tillv. art.nr:
IXFN140N20P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar