STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-431
- Tillv. art.nr:
- STF3NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
246,30 kr
(exkl. moms)
307,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 4,926 kr | 246,30 kr |
| 500 - 950 | 4,681 kr | 234,05 kr |
| 1000 + | 4,34 kr | 217,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-431
- Tillv. art.nr:
- STF3NK80Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Zener protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 600 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 8 A 900 V Förbättring TO-220FP SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 1 A 800 V Förbättring TO-252, SuperMESH