STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-905
- Tillv. art.nr:
- STD1NK80ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 20 enheter)*
226,02 kr
(exkl. moms)
282,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 360 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 11,301 kr | 226,02 kr |
| 200 - 480 | 9,744 kr | 194,88 kr |
| 500 + | 7,639 kr | 152,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-905
- Tillv. art.nr:
- STD1NK80ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 16Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 16Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET är en högspänningsenhet med Zener-skyddad N-kanal som utvecklats med SuperMESH-teknik, en optimering av den väletablerade PowerMESH. Förutom en avsevärd minskning av motståndet på är denna enhet utformad för att säkerställa en hög nivå av dv/dt-kapacitet för de mest krävande tillämpningarna.
Minimal grindladdning
Mycket låg inneboende kapacitans
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 1000 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH