STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 151-415
- Tillv. art.nr:
- STP6NK60ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
634,35 kr
(exkl. moms)
792,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 750 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 12,687 kr | 634,35 kr |
| 500 - 950 | 12,053 kr | 602,65 kr |
| 1000 + | 11,166 kr | 558,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-415
- Tillv. art.nr:
- STP6NK60ZFP
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | SuperMESH | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | ±30 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 10.4 mm | |
| Höjd | 30.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie SuperMESH | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs ±30 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 10.4 mm | ||
Höjd 30.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 600 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 800 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5.2 A 800 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 8 A 900 V Förbättring TO-220FP SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 600 V Förbättring TO-263, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 600 V Förbättring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.4 A 600 V Förbättring IPAK, SuperMESH
