Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 919-5028
- Tillv. art.nr:
- IRFP9140NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
506,58 kr
(exkl. moms)
633,23 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- 225 kvar, redo att levereras
- Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Sista 825 enhet(er) levereras från den 13 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 20,263 kr | 506,58 kr |
| 50 - 100 | 19,25 kr | 481,25 kr |
| 125 - 225 | 18,44 kr | 461,00 kr |
| 250 - 600 | 17,629 kr | 440,73 kr |
| 625 + | 16,415 kr | 410,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 919-5028
- Tillv. art.nr:
- IRFP9140NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 117mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 97nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.3mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 117mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 97nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.3mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Bredd 5.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MX
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 23A maximal kontinuerlig dräneringsström, 140W maximal effektförlust - IRFP9140NPBF
Denna högeffekts-MOSFET är konstruerad för effektiv switchprestanda i olika applikationer. Den är idealisk för kraftelektronik och kombinerar en hög kontinuerlig dräneringsström med låg resistans, vilket möjliggör tillförlitlig och exakt styrning i automations- och elsystem i flera olika driftsmiljöer.
Funktioner & fördelar
• P-kanalskonfiguration ger möjlighet till flexibel kretsdesign
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 23A
• 100 V spänning i drain-source förbättrar säkerheten
• Låg RDS(on) på 117mΩ minskar strömförlusten
• Lämplig för applikationer med förstärkningsläge som garanterar stabil prestanda
Användningsområden
• Används i motorstyrning för ökad effektivitet
• Idealisk för energihanteringssystem som kräver hög tillförlitlighet
• Vanligt förekommande i strömförsörjningskretsar för robust drift
• Används i kopplingsregulatorer för effektiv effektomvandling
• Lämplig för industriella automationssystem som kräver tillförlitlig omkoppling
Vad är den maximala gate-tröskelspänningen för enheten?
Den har en maximal grindtröskelspänning på 4 V, vilket lämpar sig för olika kretsdesigner.
Hur påverkar RDS(on)-värdet prestandan?
Det låga RDS(on)-värdet på 117mΩ minimerar energiförluster, vilket förbättrar effektiviteten och värmehanteringen i applikationer.
Vilka typer av kretsar kan dra nytta av denna MOSFET?
Den är lämplig för både linjära och switchande kretsar, vilket gör den mångsidig för olika elektroniska applikationer.
Vad är den typiska gateavgiften som krävs för drift?
MOSFET:en kräver en typisk gate-laddning på 97nC vid en gate-source-spänning på 10V för optimal prestanda.
Vilka är konsekvenserna av den maximala driftstemperaturen?
Med en maximal driftstemperatur på +175°C är den här enheten lämplig för miljöer med höga temperaturer, vilket förbättrar dess tillförlitlighet under utmanande förhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET