Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3957
- Tillv. art.nr:
- IRF150P221AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
85,57 kr
(exkl. moms)
106,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 62 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 85,57 kr |
| 10 - 24 | 81,31 kr |
| 25 - 49 | 79,74 kr |
| 50 - 99 | 74,37 kr |
| 100 + | 69,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3957
- Tillv. art.nr:
- IRF150P221AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 186A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 186A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V drain-source-spänning, 186 A kontinuerlig drain-ström – IRF150P221AKMA1
Denna MOSFET är en högströms switchtransistor med N-kanal som är utformad för kraftelektroniktillämpningar. Den fungerar som en förstärkningsenhet med en drain-source-spänningsklassning som är lämplig för medelspänningskretsar. Komponenten tolererar breda termiska extremer, vilket gör den användbar i krävande industriella miljöer där termisk uthållighet och effektiv ledningsförmåga krävs.
Funktioner och fördelar:
• 4,50 mΩ Rds(on) ger minskade ledningsförluster
• 186 A kontinuerlig dräneringsström som möjliggör högströmsväxling
• 150 V Vds med stöd för medelspänningseffektsteg
• Klassning -55 °C till +175 °C möjliggör drift i ett brett temperaturområde
• 1,2 V framspänning underlättar snabb återställning
• 186 A kontinuerlig dräneringsström som möjliggör högströmsväxling
• 150 V Vds med stöd för medelspänningseffektsteg
• Klassning -55 °C till +175 °C möjliggör drift i ett brett temperaturområde
• 1,2 V framspänning underlättar snabb återställning
Användningsområden
• Lämplig för högströms-DC-DC-omvandlare och strömförsörjningar
• Idealisk för utgångssteg för motordrivna växelriktare
• Används med effektlikriktare som kräver snabb återställning
• Kan användas för industriell omkoppling vid tuffa temperaturer
• Lämplig för ytmonterade implementeringar av kraftkort
• Idealisk för utgångssteg för motordrivna växelriktare
• Används med effektlikriktare som kräver snabb återställning
• Kan användas för industriell omkoppling vid tuffa temperaturer
• Lämplig för ytmonterade implementeringar av kraftkort
Vilket förpackningsformat använder den för kortmontering?
Den levereras i en TO-247-kapsel utformad för ytmontering.
Uppfyller denna komponent modern reglering av farliga ämnen?
Den har RoHS-godkännande som indikerar begränsning av specifika farliga ämnen.
Vilken typ av kanalkonduktion bör konstruktörer förvänta sig för grindstyrning?
Enheten fungerar i förstärkningsläge som en N-kanalstransistor som kräver positiv grindstyrning för att leda.
Vad är den angivna maximala temperaturen för kontinuerlig drift?
Den övre arbetsgränsen är +175 °C enligt specifikation för användning vid höga temperaturer.
Vad är den typiska framspänningen förknippad med återhämtningshändelser?
Framspänningen för ledning och återställning är specificerad till 1,2 V.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 224 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 78 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 209 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET