Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

35,62 kr

(exkl. moms)

44,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • 3 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Sista 835 enhet(er) levereras från den 13 oktober 2026

Enheter
Per enhet
1 - 935,62 kr
10 - 4934,05 kr
50 - 9933,04 kr
100 - 24930,91 kr
250 +28,67 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
542-9816
Distrelec artikelnummer:
302-84-056
Tillv. art.nr:
IRFP9140NPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

23A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-247

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

117mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

97nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.3V

Maximal effektförlust Pd

140W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

20.3mm

Längd

15.9mm

Bredd

5.3mm

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 23A maximal kontinuerlig dräneringsström, 140W maximal effektförlust - IRFP9140NPBF


Denna högeffekts-MOSFET är konstruerad för effektiv switchprestanda i olika applikationer. Den är idealisk för kraftelektronik och kombinerar en hög kontinuerlig dräneringsström med låg resistans, vilket möjliggör tillförlitlig och exakt styrning i automations- och elsystem i flera olika driftsmiljöer.

Funktioner & fördelar


• P-kanalskonfiguration ger möjlighet till flexibel kretsdesign

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 23A

• 100 V spänning i drain-source förbättrar säkerheten

• Låg RDS(on) på 117mΩ minskar strömförlusten

• Lämplig för applikationer med förstärkningsläge som garanterar stabil prestanda

Användningsområden


• Används i motorstyrning för ökad effektivitet

• Idealisk för energihanteringssystem som kräver hög tillförlitlighet

• Vanligt förekommande i strömförsörjningskretsar för robust drift

• Används i kopplingsregulatorer för effektiv effektomvandling

• Lämplig för industriella automationssystem som kräver tillförlitlig omkoppling

Vad är den maximala gate-tröskelspänningen för enheten?


Den har en maximal grindtröskelspänning på 4 V, vilket lämpar sig för olika kretsdesigner.

Hur påverkar RDS(on)-värdet prestandan?


Det låga RDS(on)-värdet på 117mΩ minimerar energiförluster, vilket förbättrar effektiviteten och värmehanteringen i applikationer.

Vilka typer av kretsar kan dra nytta av denna MOSFET?


Den är lämplig för både linjära och switchande kretsar, vilket gör den mångsidig för olika elektroniska applikationer.

Vad är den typiska gateavgiften som krävs för drift?


MOSFET:en kräver en typisk gate-laddning på 97nC vid en gate-source-spänning på 10V för optimal prestanda.

Vilka är konsekvenserna av den maximala driftstemperaturen?


Med en maximal driftstemperatur på +175°C är den här enheten lämplig för miljöer med höga temperaturer, vilket förbättrar dess tillförlitlighet under utmanande förhållanden.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.