Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, TO-247, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

101,36 kr

(exkl. moms)

126,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 400 enhet(er) levereras från den 03 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9101,36 kr
10 - 2496,32 kr
25 - 4994,19 kr
50 - 9988,03 kr
100 +81,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3951
Tillv. art.nr:
IRF100P218AKMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

483A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

1.28mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, 483 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRF100P218AKMA1


Denna MOSFET är en högströms-N-kanal-halvledarenhet avsedd för strömomkopplings- och konverteringsuppgifter. Den fungerar i ett brett temperaturområde som lämpar sig för krävande miljöer och levereras i en TO‐247-kapsel för ytmontering. Enheten använder förstärkningsläge och uppfyller RoHS-kraven.

Funktioner och fördelar:


• 1.28 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid hög belastning
• 100 V Vds möjliggör tillämpningar med medelspänning
• 483A kontinuerlig ström med stöd för högströmsväxling
• Område från -55 °C till +175 °C möjliggör industriell drift vid temperaturer
• 1,2 V framspänning förbättrar diodledningseffektiviteten

Användningsområden


• Lämplig för motorstyrningsstegen
• Idealisk för växling av växelriktarutgång
• Används med högströmsnätaggregat
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i industriella system
• Lämplig för högströmsprovbänkar och lastbanker

Vilket monteringsarrangemang använder den?


Den levereras i en TO‐247-kapsel utformad för ytmontering.

Vilken typ av ledning använder enheten?


Transistorn är en förstärkningskanal av N-typ för kontrollerad omkoppling.

Uppfyller den de vanliga begränsningarna för farliga ämnen?


Den har RoHS-godkännande som indikerar att begränsade ämnen är kontrollerade.

Vilka termiska extremer tål den under drift?


Enheten är specifik för att fungera mellan -55 °C och +175 °C.

Vad är den typiska framåtriktade spänningen under ledning av kroppsdiod?


Forward-spänningen är specificerad som 1.2 V.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.