Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 224 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 258-3955
- Tillv. art.nr:
- IRF150P220AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
105,95 kr
(exkl. moms)
132,44 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 105,95 kr |
| 5 - 9 | 100,80 kr |
| 10 - 24 | 98,56 kr |
| 25 - 49 | 91,95 kr |
| 50 + | 84,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3955
- Tillv. art.nr:
- IRF150P220AKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 224A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 224A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V drain-source-spänning, 224 A kontinuerlig drain-ström – IRF150P220AKMA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med högeffektsförstärkningsläge som är utformad för krävande omkopplings- och strömomvandlingsroller. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är förpackad för ytmontering för att stödja värmeavledning och robust hantering i kraftanordningar. RoHS-överensstämmelse indikerar lämplighet för miljöer som kräver efterlevnad av begränsade ämnen.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster och förbättrar effektiviteten
• Hög kontinuerlig strömkapacitet stöder omkoppling vid kraftig belastning
• 150 V nominell spänning möjliggör högspänningseffektsteg
• Bred temperaturtolerans möjliggör drift under extrema förhållanden
• Låg framåtvänd spänning minskar strömförluster vid diodledning
• Hög kontinuerlig strömkapacitet stöder omkoppling vid kraftig belastning
• 150 V nominell spänning möjliggör högspänningseffektsteg
• Bred temperaturtolerans möjliggör drift under extrema förhållanden
• Låg framåtvänd spänning minskar strömförluster vid diodledning
Användningsområden
• Lämplig för motordrivna växelriktarsteg i industriell utrustning
• Idealisk för DC-DC-omvandlare och nätaggregat med hög strömstyrka
• Används med bryggtopologier i elektriska dragsystem
• Kan användas för högeffektsomkoppling i förnybara växelriktare
• Lämplig för robusta strömmoduler som kräver ytmontering
• Idealisk för DC-DC-omvandlare och nätaggregat med hög strömstyrka
• Används med bryggtopologier i elektriska dragsystem
• Kan användas för högeffektsomkoppling i förnybara växelriktare
• Lämplig för robusta strömmoduler som kräver ytmontering
Vilken förpackningstyp och monteringsinriktning har enheten?
Den levereras i en TO-247-kapsel konfigurerad för ytmontering.
Hur påverkar det termiska intervallet driften i tuffa miljöer?
Det nominella arbetsområdet från -55 °C till +175 °C möjliggör användning där både lågtemperaturstart och hög temperaturmotståndskraft krävs.
Vilken kanalkonfiguration och grindläge använder den?
Det är en N-kanal som drivs i förstärkningsläge, lämplig för vanliga switchar på låg- och hög-sidan.
Vilka elektriska egenskaper minskar omkopplingsförlusterna under drift?
Ett maximalt drain‐source-motstånd på 2,70 mΩ och en framåtriktad diodspänning på 1,2 V tillsammans minskar lednings- och återhämtningsförluster under kraftiga strömmar.
Uppfyller enheten kraven för begränsade ämnen?
Ja, den uppfyller RoHS-kraven för begränsade material.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 224 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 186 A 150 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 78 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 483 A 100 V Förbättring, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 209 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET