Infineon N Kanal, MOSFET, 94 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

7 962,40 kr

(exkl. moms)

9 952,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 8009,953 kr7 962,40 kr
1600 +9,456 kr7 564,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-8196
Tillv. art.nr:
IRF1010ZSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

94A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1.3V

Maximal effektförlust Pd

140W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

11.3mm

Längd

10.67mm

Höjd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 94 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 140 W maximal effektförlust - IRF1010ZSTRLPBF


Denna ytmonterade MOSFET ger exceptionella prestanda i olika tillämpningar. Skapad av Infineon, utnyttjar den avancerade bearbetningstekniker för att leverera låg påslagningsresistans och hög strömhanteringsförmåga. Dess effektivitet i miljöer med höga temperaturer gör den till en viktig komponent för proffs inom automation, elektronik, el och mekanik.

Funktioner & fördelar


• Hög kontinuerlig dräneringsström på 94 A stöder omfattande belastningstillämpningar

• Låg RDS(on) på 7,5 mΩ minimerar effektförluster och förbättrar effektiviteten

• Maximal drain-källspänning på 55 V möjliggör designflexibilitet

• Hög tillförlitlighet med en maximal drifttemperatur på 175 °C

• Snabb omkopplingsförmåga minskar förseningar i kretsreaktion

• N-kanalkonfigurationen är lämplig för avancerade elektroniska konstruktioner

Användningsområden


• Används i strömhanterings- och omvandlingssystem

• Används i motorstyrningskretsar för automationsteknik

• Lämpligt för strömförsörjningsdesigner som kräver hög effektivitet

• Integral i kraftelektronik för elfordon

• Används i förnybara energisystem för effektiv energiomvandling

Vilka är konsekvenserna av den låga on-resistansfunktionen?


Den låga påslagningsresistansen på 7,5 mΩ säkerställer minimal värmegenerering under drift, vilket leder till ökad effektivitet och minskade kylkrav.

Hur fungerar denna MOSFET i miljöer med hög temperatur?


Den stöder maximala drifttemperaturer på upp till 175 °C, vilket gör den lämplig för tuffa förhållanden utan att kompromissa med prestandan.

Vilken typ av montering krävs för denna komponent?


Denna enhet är utformad för ytmonteringstillämpningar, vilket möjliggör kompakt layout och effektiv värmehantering på kretskort.

Kan den hantera pulserande strömmar effektivt?


Ja, den har en pulserad dräneringsström på 360 A, vilket gör att den kan hantera transienter effektivt.

Vilka egenskaper bör jag ta hänsyn till för kretskompatibilitet?


Se till att grindens tröskelspänning varierar från 2 V till 4 V för att säkerställa korrekt omkopplingsbeteende inom din kretskonstruktion.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.