Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 260-5059
- Tillv. art.nr:
- AUIRF4905STRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
69,44 kr
(exkl. moms)
86,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 210 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 69,44 kr |
| 10 - 24 | 65,97 kr |
| 25 - 49 | 64,62 kr |
| 50 - 99 | 60,48 kr |
| 100 + | 56,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5059
- Tillv. art.nr:
- AUIRF4905STRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 15.88mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 15.88mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon P Channel HEXFET Power MOSFET is specifically design for automotive applications. This power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Advanced process technology
Ultra low on resistance
Fast switching
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 19 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 70 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 85 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 94 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 86 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 38 A 100 V Förbättring TO-263, HEXFET AEC-Q101