Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4735
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
180,10 kr
(exkl. moms)
225,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 850 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 28 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 18,01 kr | 180,10 kr |
| 50 - 90 | 17,114 kr | 171,14 kr |
| 100 - 240 | 16,374 kr | 163,74 kr |
| 250 - 490 | 15,658 kr | 156,58 kr |
| 500 + | 14,594 kr | 145,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4735
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av HEXFET® Power MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Avancerad processteknik
Ultralågt motstånd vid påslagning, snabb omkoppling
Blyfri, RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET