Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 914-8154
- Tillv. art.nr:
- IRF540NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
192,64 kr
(exkl. moms)
240,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 380 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 400 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 26 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,632 kr | 192,64 kr |
| 100 - 180 | 7,504 kr | 150,08 kr |
| 200 - 480 | 7,023 kr | 140,46 kr |
| 500 - 980 | 6,547 kr | 130,94 kr |
| 1000 + | 6,071 kr | 121,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 914-8154
- Tillv. art.nr:
- IRF540NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 44mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 130W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Bredd | 4.69mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 8.77mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 130W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Bredd 4.69mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 8.77mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 33 A maximal kontinuerlig avtappningsström, 100 V maximal avtappningskällspänning - IRF540NPBF
Denna MOSFET är utformad för att ge effektiva omkopplingsmöjligheter och strömhantering i olika elektroniska tillämpningar. Enheten fungerar med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 33 A och en maximal dräneringskällspänning på 100 V. Inrymd i en TO-220AB-kapsel är denna komponent väl lämpad för både industriell och kommersiell användning, vilket säkerställer lång livslängd och tillförlitlighet under en rad miljöförhållanden.
Funktioner & fördelar
• Använder avancerad bearbetning för låg påslagningsresistans
• Stöder snabba omkopplingshastigheter för effektiv drift
• Helt avalanche-klassad för ökad tillförlitlighet under tuffa förhållanden
• Erbjuder ett brett gränsspänningsområde för flexibilitet
• Utformad för genomgående hålmontering för enkel installation
Användningsområden
• Idealisk för högströmsomkoppling i nätaggregat
• Används i automations- och styrsystem
• Lämplig för motorstyrning och drivkretsar
• Effektiv i växelriktare och omvandlare för förnybara energisystem
Vad är betydelsen av den låga RDS(on) i denna enhet?
En låg RDS(on) förbättrar effektiviteten genom att minska effektförlusten under drift, möjliggör bättre värmehantering och förbättrar den totala prestandan i tillämpningar med hög ström.
Hur påverkar förstärkningslägesfunktionaliteten dess användning?
Förbättringsläget möjliggör låg strömdrift tills en specifik grindspänning appliceras, vilket gör det tillförlitligt för omkopplingstillämpningar där exakt styrning är avgörande.
Vilken betydelse har TO-220AB-kapselkonstruktionen?
TO-220AB-kapseln säkerställer effektiv värmeavledning, stöder höga effektförlustnivåer samtidigt som den är enkel att montera i olika kretskonfigurationer.
Hur fungerar denna MOSFET i extrema temperaturer?
Den arbetar effektivt mellan -55 °C och +175 °C och är utformad för att upprätthålla prestanda i krävande miljöer, vilket säkerställer tillförlitlighet även under utmanande förhållanden.
Vilken typ av omkopplingstillämpningar är denna lämplig för?
Den är väl lämpad för att driva laster i tillämpningar som kräver snabb omkoppling, t.ex. motordrivsystem, strömomvandlare och olika elektroniska styrkretsar.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF540NPBF