Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-5514
Tillv. art.nr:: IRFB4127PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET

Antal (1 rör med 100 enheter)*

3 524,90 kr

(exkl. moms)

4 406,10 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

700 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
100 +	35,249 kr	3 524,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-5514
Tillv. art.nr:: IRFB4127PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	76A
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Kretskort
	Maximal drain-källresistans Rds	20mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 76A
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Kapseltyp TO-220
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Kretskort
	Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRFB4127PBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 200 V maximal drain-source-spänning, 375 W maximal effektförlust – IRFB4127PBF

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög spänning och förstärkningsläge som är utformad för kretskortsmontering i en TO-220-kapsel. Den är avsedd för strömomkopplings- och styruppgifter där betydande strömhantering och termisk kapacitet krävs, och den fungerar över ett utökat industriellt temperaturområde samtidigt som den uppfyller RoHS-begränsningar.

Funktioner och fördelar:

• 20 mΩ Rds(on) möjliggör minskade ledningsförluster
• 76 A kontinuerlig dräneringsström med stöd för omkoppling vid hög belastning
• 200 V drain-source-klassning möjliggör högspänningstillämpningar
• 375 W effektförlust som förbättrar värmeutrymmet
• 1,3 V framspänning minimerar fall av grinddrivning

Användningsområden

• Lämplig för strömförsörjning i industriella system
• Används med motordrivkretsar som kräver hög strömhantering
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i högspänningsskenor
• Kan användas för växling av växelriktarsteg på kretskort

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?

Gate-to-source-spänningen får inte överstiga 20 V för att undvika att skada gate-dielektrin.

Vilket temperaturområde tål den under drift?

Den är specificerad för att fungera mellan -55 °C och 175 °C för bred industriell användning.

Är enheten lämplig för ytmontering på kretskort?

Den är avsedd för kretskortsmontering i en TO-220-kapsel med genomgående hål för säker termisk och mekanisk fästning.

Uppfyller den miljömässiga materialbegränsningar?

Komponenten är RoHS-kompatibel och uppfyller de nödvändiga begränsningarna för farliga ämnen.