Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 100 enheter)*

3 524,90 kr

(exkl. moms)

4 406,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 700 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
100 +35,249 kr3 524,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-5514
Tillv. art.nr:
IRFB4127PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

76A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Kretskort

Maximal drain-källresistans Rds

20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

375W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons strongIRFET-effekt-MOSFET-familj är optimerad för låg RDS och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.

Genomgående strömförsörjningshål enligt industristandard

Högströmsklassning

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

<

Mjukare kroppsdiod jämfört med tidigare kiselgeneration

Bred portfölj tillgänglig

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.