Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

825,10 kr

(exkl. moms)

1 031,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5016,502 kr825,10 kr
100 - 20013,559 kr677,95 kr
250 +13,395 kr669,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9346
Tillv. art.nr:
IRFB4229PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

46A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

46mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 250 V maximal drain-source-spänning, 46 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB4229PBF


Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med genomgående hål som är utformad för omkoppling och förstärkning i högspänningskretsar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver robusta gate-drive-egenskaper och måttlig påslagningsresistans i en TO-220-kapsel.

Funktioner och fördelar:


• 46 A kontinuerlig ström ger hög belastningsomkopplingsförmåga
• 46 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömvägar
• 250 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsdrift
• 72 nC typisk grindladdning stöder förutsägbart omkopplingsbeteende
• 10 V maximal gate-källspänning möjliggör standard gate-drivnivåer

Användningsområden


• Används för högspänningsomvandlingsstegen
• Lämplig för diskreta omkopplingselement för motordrivning
• Idealisk för generella strömförsörjningskort med genomgående hål
• Kan användas för industriella omkopplingsmoduler
• Används med värmehantering i system med förhöjd temperatur

Vilken typ av förpackning medföljer för bekväm montering?


Den erbjuds i en TO-220-förpackning med genomgående hål för enkel kretskortsfäste och värmeavledare.

Vilket temperaturområde tål den under drift?


Enheten är klassad för drift från -40 °C upp till 175 °C.

Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?


Gate-källspänningen får inte överstiga 10 V för att undvika att skada gate-oxiden.

Är denna enhet lämplig för användning enligt fordonsstandard?


Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör inte antas vara av fordonskvalitet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.