Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF540NPBF

RS-artikelnummer:: 919-4794
Tillv. art.nr:: IRF540NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

För närvarande inte tillgänglig

Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-artikelnummer: 914-8154

Var (i ett paket med 20)

192,64 kr

(exkl. moms)

240,80 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:: 919-4794
Tillv. art.nr:: IRF540NPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon

Välj alla

Varumärke

Infineon

Datasheet

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

COO (ursprungsland):: MX

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 33 A maximal kontinuerlig avtappningsström, 100 V maximal avtappningskällspänning - IRF540NPBF

Denna MOSFET är utformad för att ge effektiva omkopplingsmöjligheter och strömhantering i olika elektroniska tillämpningar. Enheten fungerar med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 33 A och en maximal dräneringskällspänning på 100 V. Inrymd i en TO-220AB-kapsel är denna komponent väl lämpad för både industriell och kommersiell användning, vilket säkerställer lång livslängd och tillförlitlighet under en rad miljöförhållanden.

Funktioner & fördelar

• Använder avancerad bearbetning för låg påslagningsresistans

• Stöder snabba omkopplingshastigheter för effektiv drift

• Helt avalanche-klassad för ökad tillförlitlighet under tuffa förhållanden

• Erbjuder ett brett gränsspänningsområde för flexibilitet

• Utformad för genomgående hålmontering för enkel installation

Användningsområden

• Idealisk för högströmsomkoppling i nätaggregat

• Används i automations- och styrsystem

• Lämplig för motorstyrning och drivkretsar

• Effektiv i växelriktare och omvandlare för förnybara energisystem

Vad är betydelsen av den låga RDS(on) i denna enhet?

En låg RDS(on) förbättrar effektiviteten genom att minska effektförlusten under drift, möjliggör bättre värmehantering och förbättrar den totala prestandan i tillämpningar med hög ström.

Hur påverkar förstärkningslägesfunktionaliteten dess användning?

Förbättringsläget möjliggör låg strömdrift tills en specifik grindspänning appliceras, vilket gör det tillförlitligt för omkopplingstillämpningar där exakt styrning är avgörande.

Vilken betydelse har TO-220AB-kapselkonstruktionen?

TO-220AB-kapseln säkerställer effektiv värmeavledning, stöder höga effektförlustnivåer samtidigt som den är enkel att montera i olika kretskonfigurationer.

Hur fungerar denna MOSFET i extrema temperaturer?

Den arbetar effektivt mellan -55 °C och +175 °C och är utformad för att upprätthålla prestanda i krävande miljöer, vilket säkerställer tillförlitlighet även under utmanande förhållanden.

Vilken typ av omkopplingstillämpningar är denna lämplig för?

Den är väl lämpad för att driva laster i tillämpningar som kräver snabb omkoppling, t.ex. motordrivsystem, strömomvandlare och olika elektroniska styrkretsar.