Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 913-4076
- Tillv. art.nr:
- IRLML6244TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 378,00 kr
(exkl. moms)
4 224,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 6 000 enhet(er) levereras från den 17 december 2026
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 14 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,126 kr | 3 378,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 913-4076
- Tillv. art.nr:
- IRLML6244TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanals effekt-MOSFET 12V till 25V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET