Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

136,54 kr

(exkl. moms)

170,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 780 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 1 020 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 1 680 enhet(er) från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1806,827 kr136,54 kr
200 - 4806,143 kr122,86 kr
500 +5,466 kr109,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
737-7225
Distrelec artikelnummer:
304-45-318
Tillv. art.nr:
IRLML6344TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

37mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.3W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.04mm

Höjd

1.02mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 5 A maximal kontinuerlig drain-ström, 30 V maximal drain-källspänning - IRLML6344TRPBF


Denna MOSFET är en högpresterande N-kanal för ytmontering som är lämplig för olika tillämpningar inom elektronik- och automationssektorerna. Utformad med ett kompakt SOT-23-paket, mäter den 3,04 mm i längd, 1,4 mm i bredd och 1,02 mm i höjd. Den uppvisar utmärkta termiska prestanda, med ett drifttemperaturområde på -55 °C till +150 °C.

Funktioner & fördelar


• Erbjuder en kontinuerlig dräneringsström på 5 A för robust prestanda

• Maximal drain-källspänning på 30 V stöder olika krav

• Låg RDS(on) på 29 mΩ vid VGS = 4,5 V minskar effektförluster

• Brett gränsspänningsområde möjliggör flexibel drift

• Effektiv effektförlustkapacitet på 1,3 W ökar tillförlitligheten

Användningsområden


• Idealisk för omkoppling av mikrokontrollerbelastning i elektroniska system

• Används i energihanteringslösningar för fordonsindustrin

• Effektiv i DC-DC-omvandlare för effektiv energiomvandling

• Lämpligt för batterihanteringssystem för att förbättra prestandan

• Effektiv i motorstyrningskretsar för automationsuppgifter

Vad är betydelsen av det låga RDS(on)-värdet?


Det låga RDS(on)-värdet indikerar lägre ledningsförluster, vilket resulterar i bättre effektivitet, särskilt i tillämpningar med hög ström. Denna egenskap är avgörande för att minska värmegenereringen i kraftelektronik.

Vilket spänningsområde kan appliceras på grind-källa-korsningen?


Den maximala gate-källspänningen är ±12 V, vilket möjliggör flexibilitet i drivförhållanden samtidigt som enhetens integritet säkerställs inom nominella gränser.

Hur fungerar enheten vid höga temperaturer?


Med en maximal drifttemperatur på +150 °C är MOSFETen byggd för att tåla tuffa miljöer, vilket säkerställer tillförlitlig funktionalitet i krävande tillämpningar.

Vilka fördelar ger ytmonteringsdesignen?


SOT-23 ytmonterad design möjliggör kompakta kretslayouter och förbättrar värmehanteringen, vilket gör den idealisk för moderna elektroniska monteringar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.