Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 725-9347
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-310
- Tillv. art.nr:
- IRLML0040TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
71,24 kr
(exkl. moms)
89,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 320 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 380 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 5 400 enhet(er) från den 30 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 140 | 3,562 kr | 71,24 kr |
| 160 - 740 | 2,156 kr | 43,12 kr |
| 760 - 1480 | 1,882 kr | 37,64 kr |
| 1500 + | 1,736 kr | 34,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 725-9347
- Distrelec artikelnummer:
- 304-45-310
- Tillv. art.nr:
- IRLML0040TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 56mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 56mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 3,6A maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,3W maximal effektförlust - IRLML0040TRPBF
Denna effekt-MOSFET är konstruerad för effektivitet och tillförlitlighet i en rad olika elektroniska kretsar. Med låg on-resistans och hög prestanda är den lämplig för applikationer som kräver energieffektivitet och robust drift. Denna komponent är känd för sin förmåga att hantera betydande elektriska belastningar, vilket gör den relevant för ingenjörer och yrkesverksamma inom automations- och elektroniksektorerna.
Funktioner & fördelar
• Låg RDS(on) på 56mΩ minskar kopplingsförlusterna
• Stödjer Enhancement Mode för effektiv strömstyrning
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 3,6A för stabil drift
• Fungerar vid en maximal drain-source-spänning på 40V
• Utformad för ytmonteringsteknik, perfekt för kompakta konstruktioner
• Kompatibel med HEXFET-teknik för hög prestanda
Användningsområden
• Idealisk för last- och systemomkopplare
• Används i drivsystem för DC-motorer
• Effektiv för höghastighetsomkopplare och förstärkare
• Lämplig för ytmontering i kompakt krets
• Används i olika kraftelektroniska kretsar
Vad är värmemotståndet för denna enhet?
Det termiska motståndet är typiskt 100°C/W, vilket säkerställer effektiv värmeavledning under drift.
Hur påverkar grindtröskelspänningen enhetens prestanda?
Grindtröskelspänningen sträcker sig från 1,0 V till 2,5 V, vilket ger flexibilitet i grindstyrningen i olika applikationer.
Kan den hantera pulsade dräneringsströmmar?
Ja, den här komponenten kan klara pulserande dräneringsströmmar som överstiger dess kontinuerliga klassning, vilket garanterar tillförlitlighet under transienta förhållanden.
Vilka faktorer påverkar den maximala effektförlusten för denna komponent?
Effektförlusten påverkas främst av omgivningstemperaturen och det termiska motståndet, som påverkar anslutningstemperaturen under belastning.
N-kanals Power MOSFET 40V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET