Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 911-4827
- Tillv. art.nr:
- BSP295H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
4 249,00 kr
(exkl. moms)
5 311,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 000 enhet(er) levereras från den 19 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 4,249 kr | 4 249,00 kr |
| 2000 - 2000 | 4,036 kr | 4 036,00 kr |
| 3000 + | 3,781 kr | 3 781,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 911-4827
- Tillv. art.nr:
- BSP295H6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.5mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.5mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS®-serien MOSFET, 1,8 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 1,8 W maximal effektförlust - BSP295H6327XTSA1
Denna MOSFET är utformad för högpresterande tillämpningar inom automation och elektronik. Dess N-kanalkonfiguration i kombination med en effektiv ytmonterad design möjliggör effektiv strömstyrning, vilket gör den lämplig för en rad industriella tillämpningar. Den stöder en maximal dräneringskällspänning på 60 V, vilket säkerställer konsekvent prestanda för olika projekt.
Funktioner & fördelar
• Håller kontinuerligt en dräneringsström på 1,8 A
• Låg maximal drain-source-resistans på 300 mΩ
• Brett grind-källspänningsområde från -20 V till +20 V
• Kvalificerad enligt AEC-Q101 fordonsstandard för tillförlitlighet
Användningsområden
• Strömhanteringssystem för effektiv utgångsstyrning
• Motordrivenheter för tillförlitlig omkopplingsfunktion
• Signalförstärkning i olika elektroniska enheter
• Elektroniska styrenheter för fordon
Vad är den typiska effektförlusten för komponenten?
Den kan avleda upp till 1,8 W under specificerade förhållanden för effektiv värmehantering under drift.
Hur påverkar grindtröskelspänningen prestandan?
Den maximala grindtröskelspänningen är 1,8 V, vilket gör det möjligt för MOSFET att uppnå optimal prestanda vid låga ingångsnivåer.
Kan denna komponent hantera pulserande dräneringsströmmar?
Ja, den är klassad för pulserad dräneringsström upp till 6 A, vilket gör att den effektivt kan hantera transienter.
Vilka förpackningsalternativ finns tillgängliga?
MOSFET finns i ett SOT-223-paket för ytmontering, optimerat för utrymmesbesparande konstruktioner.
Uppfyller enheten miljöstandarder?
Den har blyfri plätering och följer RoHS-kompatibilitet, vilket uppfyller moderna miljöbestämmelser.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 430 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101