Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 165-5812
Tillv. art.nr:: BSP322PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

4 015,00 kr

(exkl. moms)

5 019,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 02 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	4,015 kr	4 015,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-5812
Tillv. art.nr:: BSP322PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	800mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.84V
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	12.4nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.5mm
	Höjd	1.6mm
	Bredd	3.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.84V
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.4nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.5mm
	Höjd 1.6mm
	Bredd 3.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

COO (ursprungsland):: CN

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP322PH6327XTSA1

Denna MOSFET är en P-kanalförstärkningsenhet som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för P-kanalsomkopplingsuppgifter med hög spänning där en kompakt kapslingsform och fordonsklassad robusthet krävs.

Funktioner och fördelar:

• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 800 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 1 A stöder låga till måttliga strömmar
• Maximal dissipation på 1.8 W möjliggör stabil strömhantering
• 12,4 nC typisk grindladdning ger förutsägbara krav på grinddrivning
• Maximal gate-källspänning på 20 V upprätthåller säker driftsmarginal

Användningsområden

• Lämplig för lastväxling i fordonselektronikmoduler
• Idealisk för polaritetsskyddskretsar med hög spänning
• Används för strömhantering i batteridrivna system
• Kan användas för förebyggande av omvänd ström i DC-skenor
• Lämplig för kompakta ytmonterade effektomvandlingsstegar

Vilket temperaturområde kan den tolerera i fält?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket gör den lämplig för tuffa termiska miljöer.

Hur många stift och monteringsstil bör designers förvänta sig?

Enheten har fyra stift och är avsedd för ytmonterad montering i ett SOT-223-format.

Vilka elektriska egenskaper avgör omkopplingshastighetskraven?

Grindladdningen på 12.4 nC anger den laddning som krävs vid grinden och informerar om val av grinddrivare och driftstiming.

Vilka mekaniska inkapslingsmått är viktiga för layoutplanering?

Komponenten mäter 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, vilket bidrar till att överväga fotavtryck och avstånd.